La taille de la cellule de mémoire sur cette puce SRAM est de 0.346µm², soit quasi la moitié de la taille de celles fabriquées en 65 nanomètres. Cette puce SRAM offre une densité de 153 Mbit et inclut tous les transistors et interconnexions nécessaires à une utilisation dans un processeur qui bénéficiera d'une finesse de gravure en 45 nanomètres. L'évolution des puces SRAM au cours des années est assez impressionnante puique la densité est passée de 18 Mbit pour le process 130nm à 153 Mbit pour le process 45nm.
Photos 1 & 2 : waffer 45 nm/ photo 3 : puce SRAM 45nm
Selon Intel, les avantages de la finesse de gravure en 45 nanomètres sont une amélioration de la densité des transistors, une augmentation de 20% dans la vitesse de commutation des transistors et une perte d'énergie 5 fois inférieure, sans compter la réduction des coûts de fabrication. Intel souligne que le 45 nanomètres permettra également d'améliorer le ratio performance par watt dissipé.
Par cette démonstration, Intel veut signifier à ses concurrents qu'il est déjà fin prêt pour cette finesse de gravure et que les premiers processeurs en bénéficiant devraient sortir dans la seconde moitié de l'année 2007. Intel rappelle également qu'il produit déjà en masse des processeurs de 65 nanomètres, sous-entendu qu'AMD en est toujours à des processeurs 90nm. En outre Intel annonce que le process P1268 dont le but est d'atteindre une finesse de gravure de 32 nanomètres est déjà en route et devrait arriver à l'horizon 2009...
|
|
Quid de la première Xbox ? | Boîtier Chieftec Maestro |
|
Imprimer
Envoyer
20 Réactions
108 Approbations




Flux RSS
Dernières réactions