Samsung parvient à graver des puces mémoire d’une finesse de 50nm.

Samsung annonce être en mesure de produire des modules de mémoire DDR 3 de 2 Gb (256 Mo) avec une finesse de gravure de 50nm permettant ainsi une consommation très nettement diminuée, allant jusqu’à une économie de 40 % d'énergie par rapport aux modules de 1 Gb du même constructeur. Leur fréquence est de 1300 MHz (1,3 Gb/s) pour une tension comprise entre 1.35 et 1.5 volts.

Grâce à cette impressionnante densité, Samsung devrait parvenir à fabriquer des barrettes de 4 Go en SO-DIMM et des barrettes standard de 8 Go, sans avoir recours à la technique d’empilage des puces (DRAM Stacking), qui consiste à empiler plusieurs modules les uns sur les autres.

Leur production est annoncée pour le quatrième trimestre 2008.

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