On nous annonce régulièrement que le règne du silicium touche à sa fin et que ses limites sont atteintes à cause des limites de finesses des transistors. Pourtant, il est toujours présent, mais le graphène pourrait bien prendre sa relève.

Régulièrement le silicium est remis en cause à cause des limites de finesses des transistors. Il ne sera plus possible d'intégrer plus de transistors sur une même surface et donc plus d'augmentation de puissance. Pour succéder au silicium, tous les rêves sont permis, la lumière ou encore l'ordinateur quantique, mais nous en somme encore bien loin. Une alternative concrète serait le graphène. Des chercheurs de l'université de Rice aux États-Unis avancent des chiffres impressionnants : le graphène permettrait de créer des mémorisez non volatiles 5 fois plus denses et 1000 fois plus rapides.

Pour ce faire, ils ont réalisé des cellules nanomécaniques à l'aide de feuille de graphène. Une feuille ne mesure que 10 atomes d'épaisseur soit 700 picomètres ou 0,7 nm. Ces cellules, 5 fois plus petites que nos transistors actuels, ne seraient composées que de deux "entrées" contre trois pour nos transistors ce qui permet d'augmenter la densité. En plus de ces avantages, ces cellules sont très rapides puisque le temps de commutation d'un niveau logique à un autre se fait en moins d'une microseconde soit 1000 fois plus vite que le temps d'écriture d'une cellule Flash NAND. Pour continuer l'éloge du graphène, les cellules supportent 20 000 commutations sans la moindre dégradation et elles sont insensibles aux radiations cosmiques, point intéressant dans le domaine aérospatial.

La fabrication serait facile à mettre en oeuvre. Malheureusement, nous le savons, le passage de la recherche à la production est souvent un grand pas qu'il est difficile de franchir. Néanmoins, le graphène semble être une alternative concrète et viable.

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