Samsung vient d'annoncer avoir gravé ses premières puces DRAM en 40 nm. Ces puces sont de type DDR2 et ne fonctionne pour l'instant qu'à 800 Mbps. Elles sont d'ores et déjà certifiées par Intel sur le chipset mobile GM45, plus précisément il s'agissait d'un module 1 Go SODIMM. Selon Samsung, on peut attendre des gains de 30 % au niveau de la consommation comparée au 50 nm. Des gains de 60 % en terme de productivité sont aussi attendus (puces plus petites =  plus de puces par wafer). Alors que Samsung vient de dévoiler une puce de DDR3-SDRAM de 4 Gb (512 Mo) gravée en 50 nm, le coréen ne s'attend pas à pouvoir proposer des puces DDR3 de 2 Gb avant la fin de l'année 2009. La production sera à pleine puissance en 2010.

Qimonda, qui n'a plus que trois semaines pour trouver l'argent nécessaire à son sauvetage vient de dévoiler la plus petite puce de DRAM jamais produite. Cette puce de 2 Gb à été gravé grâce au procédé 46 nm "Burried Wordline", son die ne dépasse pas les 55 mm² ! Reste à voir si la société aura la chance de produire cette puce en masse...

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