L'ISSCC bat son plein et SanDisk et Toshiba y accumulent les annonces sur la mémoire flash. Actuellement, le duo prépare la production en masse de puces gravées en 43 nm. Ces puces sont de type x4 (4 bits par cellules) et atteignent une capacité de 64 Gb (8 Go). Leur vitesse est de 7.8 Mo/s en écriture (il s'agit de MLC). La production devrait donc démarrer d'ici la fin du semestre.

Pour le futur, SanDisk et Toshiba préparent le 32 nm avec des puces x3 (3 bits par cellules) et x4. Ces puces afficheront 32 Gb (4 Go) avec des dimensions de 9.215 x 12.247 mm² soit un total de 113 mm². Elle tient donc dans une carte microSD. Son débit est de 5.6 Mo/s. La sortie est prévue courant 2009.

Rappelons que la joint venture IMFT (Intel et Micron) avait annoncée fin novembre dernier le début de la production de puces 32 Gb (4 Go) en 34 nm.

Intel dévoile son procédé de gravure 32 nm

Good Old Games : politique anti-DRM assumée !