Samsung vient d'annoncer une barrette de DDR3 à la capacité record de 32 Go. Ce module ECC Registered utilise 72 die de 4 Gb gravés en 50 nm, ces derniers sont empilés 4 par 4 via le Quad Die Packaging. On se retrouve alors avec 16 « puces », ou 8 par faces. La tension de ces puces est de 1.35 volt seulement (la norme JEDEC étant à 1.5 volt). La vitesse n'est pas précisée, mais le débit maximal des puces est de 1.6 Gbps. Le fondeur coréen n'a pas précisé quand la production en masse de ces modules débuterait.

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