Samsung annonce le lancement de la production en masse d'une puce de DDR3 de 2 Gb en 40 nm.

Le coréen indique que cette nouvelle puce atteint des débits de 1.6 Gbps à 1.35 volt de tension. Avec une capacité de 2 Gb, soit 256 Mo, Samsung indique qu'elle va permettre de concevoir des modules de DDR3 avec une capacité totale de 4 Go, que ce soit pour des ordinateurs de bureaux ou des ordinateurs portables.

Pour les serveurs et stations de travail, cela va permettre de disposer de barrettes avec une capacité allant de 4 à 16 Go. Ces puces ne représentent pas une révolution par rapport aux précédentes, que ce soit en terme de vitesses ou de capacités. C'est cependant une étape importante qui va permettre de réduire un peu plus les couts de fabrications des fondeurs, avec Samsung aux avant-postes donc.

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