Le géant de Santa Clara nous a présenté le premier wafer de puces gravé à 22 nanomètres...

Lors de sa keynote d'ouverture de l'IDF 2009, à San Francisco, Paul Otellini nous a présenté un wafer gravé à une finesse de 22 nanomètres. Il s'agissait de mémoire SRAM de 364 millions de bits et de 2,9 milliards de transistors. Cette nouvelle évolution vient confirmer la bonne santé de la loi de Moore, puisqu'Intel avait annoncé juste avant notre arrivée à San Francisco qu'il avait débuté la production de masse de puces à 32 nm.

Le 22 nm marque l'arrivée de la troisième génération de High-K / Metal Gates. Pour la première fois, deux types de process distincts cohabiteront. De façon similaire à ce qu'on pouvait trouver chez TSMC, le fondeur proposera une version "haute performance" pour ses processeurs, et une version optimisée basse tension pour ses SoC (System-on-Chip). Si Intel tient son agenda, le 22 nm entrera en production de masse dans deux ans. Les premiers processeurs gravés à 32 nm sont quant à eux toujours prévus pour la fin de l'année.

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