Le coréen Samsung vient de franchir une nouvelle étape en annonçant une puce de mémoire flash gravée en 30 nanomètres...

Samsung vient d'annoncer officiellement qu'il a débuté la production en masse d'une puce de mémoire flash gravée en 30 nanomètres. Cette puce de 16 Gb (4 Go) est de type MLC 3BPC (3 bits par cellules). Elle sera donc notoirement plus lente que de la MLC classique (2BPC) et moins fiable, elle sera cependant nettement moins coûteuse à produire. Samsung devrait installer deux de ces puces avec un nouveau contrôleur dans une carte microSD de 8 Go. Les nouvelles puces devraient aussi débarquer dans de nombreuses clefs USB. La prochaine étape est l'arrivée de MLC (2BPC) et de SLC (1BPC) gravées en 30 nm...

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