Le géant coréen Samsung continue à améliorer ses processus de production : consommation en baisse et productivité en hausse.

Samsung vient de dévoiler de la mémoire vive gravée à 30 nanomètres. Le géant coréen indique que sa nouvelle puce de 2 Gb (256 Mo) de DDR3 réduit de 30 % la consommation par rapport à une puce gravée à 50 nm. Elle permettra d'augmenter la productivité de 60 % par rapport aux chips gravés à 40 nm.

Samsung prévoit de débuter la production en masse des nouvelles puces dès le second semestre 2010. La DRAM est la troisième technologie après les CPU et la NAND à passer à une finesse de gravure de 3X nm. On s'attend à ce que les futures cartes graphiques sautent cette génération et soient directement gravées à 28 nm. Rappelons que plus on descend en finesse de gravure, plus l'on réduit les coûts, et plus on peut augmenter le nombre de transistors sur une puce.

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