Intel et Micron vont commencer à la fin de l'année la construction d'une nouvelle usine de mémoire flash...

Fin 2006, Intel et Micron avaient annoncé qu'ils planifiaient la construction d'une nouvelle fonderie de mémoire flash à Singapour. Rappelons que les deux sociétés sont liées dans la co-entreprise IM Flash Technologies qui dispose d'une usine de production de mémoire flash.

La nouvelle « fab » devait commencer la production de NAND dans le courant du second semestre 2008 mais, du fait de l'éclatement de la crise financière, le projet avait été remis à plus tard. Alors que Singapour devrait afficher la plus forte croissance au monde cette année (entre 13 et 15%) d'après nos confrères de DigiTimes, Intel et Micron ont ressorti du placard les plans de cette nouvelle usine, dont la construction débuterait d'ici à la fin de l'année.

L'année 2011 devrait être marquée par l'ouverture de nombreuses unités de production de galettes de silicium de mémoire flash. Toshiba et SanDisk ont par exemple annoncé récemment leurs intentions concernant l'arrivée d'une cinquième usine, tandis que Samsung prépare également une nouvelle ligne de production de DRAM, NAND et autres produits mémoires à Hwaseong, en Corée du Sud.

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