Le géant coréen Samsung vient de lancer la production en masse de sa DDR3 gravée à 3x nanomètres...

Samsung, le plus gros fondeur de mémoire vive au monde, vient d'annoncer avoir commencé la production de sa nouvelle génération de DDR3. Il s'agit plus précisément de la puce de 2 Gb (256 Mo) dévoilée en février dernier. Cette solution est gravée à une finesse située entre 30 et 39 nanomètres, le géant coréen ne communique pas la valeur précise. Elle peut atteindre une fréquence de 1866 MHz lorsqu'elle fonctionne avec une tension nominale de 1,35 volt, tandis qu'elle atteint les 2133 MHz à 1,5 volt. Cela signifie qu'un module de 4 Go équipé de ces puces fonctionne 60% plus vite et consomme 65% d'énergie en moins qu'un module de 2 Go conçu avec des puces gravées à 50 nm.

Samsung doit aussi lancer d'ici à la fin de l'année des puces de 4 Gb (512 Mo) gravées à 3x nm. Le géant coréen continue donc d'accroitre son avance technologique sur ces concurrents. Au final, si les serveurs peuvent encore profiter des avancées en la matière (qu'il s'agisse des réductions de la consommation énergétique, ou même de l'augmentation des besoins en mémoire portés par la virtualisation et le Cloud Computing), les ordinateurs de bureau sont clairement moins demandeurs. Samsung le sait bien et mise d'ailleurs beaucoup sur le côté énergétique (et écologique), notamment en surfant sur les valeurs « vertes ».

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