Le coréen Hynix vient de franchir une nouvelle étape en annonçant une puce de mémoire flash gravée à 2x nanomètres...

Hynix vient d'annoncer officiellement qu'il a débuté la production en masse d'une puce de mémoire flash gravée en 2x nanomètres. Cette puce de MLC offre une capacité de 64 Gb (16 Go). Elle devrait permettre de concevoir des disques flash et des smartphones offrant plus d'espace disque tout en réduisant leurs coûts (augmentation de 60% de la productivité par rapport aux solutions gravées à 30 nm).

Ces nouvelles puces seront produites sur des galettes de silicium de 300 mm, dans la fonderie M11 du coréen, située à Cheongju, en Corée du Sud. Notons également qu'Hynix proposera cette NAND avec un contrôleur intégré dans le courant du mois de septembre. Avec cette puce de classe 2x nm, le coréen rattrape son compatriote Samsung ainsi que le duo Intel/Micron (IMFT).

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