C'est lors d'une conférence qui se tenait il y a quelques semaines à Tokyo que de nombreuses informations fraiches sur la DDR4 ont été dévoilées...

C'était en 2008, dans le cadre de l'Intel Developer Forum, qui se tient annuellement à San Francisco, en Californie, que les premières informations au sujet de la DDR4 avaient filtré. Depuis, le silence absolu, et pour cause, le fondeur qui avait dévoilé ces premiers détails, Qimonda, a fermé ses portes ! Il y a quelques semaines se tenait la MemCon de Tokyo, et Bill Gervasi, un vétéran de l'industrie de la mémoire vive (pendant près de 20 ans chez Intel, puis au JEDEC, l'organisation en charge des standards de la DRAM), a profité de l'événement pour dévoiler de nouvelles informations au sujet de cette future norme.

On commence tout d'abord par remettre les pendules à l'heure. Alors que la DDR4 devait débarquer dès 2012-2013, elle est désormais attendue pour 2015. C'est évidemment le retard de la transition vers la DDR3 qui se cache, au moins partiellement, derrière ce fait, même si cette dernière va en profiter pour... aller plus vite. Le JEDEC a d'ailleurs d'ores et déjà fait son travail en introduisant des vitesses officielles atteignant 2133 MHz. Logiquement, la DDR4 ne sera donc pas produite avec une fréquence inférieure, et à la fin de sa vie, elle atteindra (voir dépassera) les 4266 MHz !

Gervasi est également très critique du standard LV-DDR3 (qui fonctionne à 1,35 volt contre 1,5 volt pour la DDR3 classique). Selon lui, cela détourne les ingénieurs de la DDR4, ce qui retarde la finalisation du nouveau standard. La DDR4 est attendue avec une tension nominale qui sera située entre 1,05 et 1,2 volt. Autre conséquence, plus indirecte, cela repousse les puces de fortes capacités (4 Gbit et 8 Gbit) alors que comme on va le voir, ces solutions sont très importantes pour la nouvelle norme.

Pour atteindre les fréquences très élevées voulues pour la DDR4, il va falloir abandonner le système de bus actuel, qui permet de placer plusieurs modules par canal, au profit de quelque chose de plus simple, mais de plus limité, où seule une barrette peut prendre place dans chaque canal. Cela obligera donc les fondeurs de DRAM à proposer des puces très denses, ou à utiliser plusieurs « coeurs » par package, ce qui ne sera pas simple avec des fréquences très élevées.

Beaucoup de changements donc pour cette nouvelle génération de mémoire vive. Les 4 à 5 ans qui nous séparent de l'introduction de la DDR4 laissent cependant beaucoup de temps pour régler tous ces « soucis ». Évidemment, cela signifie également que d'autres apparaitront. On sait déjà qu'AMD comme Intel sont bien partis pour se lancer dans une course au nombre de canaux, en tout cas sur les plateformes haut de gamme, et sur les systèmes professionnels...

SSD : nouveau type de mémoire NAND Flash chez Intel-Micron

Nouveau boîtier HTPC chez Lian-Li (24 photos)