Le fondeur nippon Toshiba vient d'annoncer avoir commencé la production de mémoire flash gravée à 24 nanomètres...

Toshiba vient d'indiquer qu'il avait commencé à produire en masse de la mémoire flash gravée à une finesse de 24 nanomètres. En théorie, cela replace le fondeur nippon en tête du secteur. Le 2x nm de Samsung est très probablement du 27 nm, tandis qu'Hynix grave à 26 nm. Dans les deux cas, la production en masse n'a pas encore commencé. Chez IMFT, on produit de la MLC à 25 nm depuis le mois de mai, cependant, les volumes seraient encore trop faibles pour qualifier cela de « production de masse ».

La puce de Toshiba offre une capacité de 64 Gbit (soit 8 Go), et est de type MLC. Le fondeur devrait proposer prochainement une puce de 32 Gbit, ainsi que des solutions en TLC (3 bits par cellules, contre 2 pour la MLC). Au final, c'est le consommateur qui gagne, puisque les capacités offertes progressent, et les prix chutent.

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