Le fondeur coréen Samsung produit désormais de la mémoire flash TLC/3BPC à 2x nanomètres...

Samsung vient d'indiquer qu'il avait commencé à produire en masse des puces de mémoire flash TLC (3 bits par cellule) de 64 Gb (soit 8 Go), gravées entre 20 et 29 nanomètres (27 nm d'après de récentes rumeurs). Ces nouvelles solutions permettent au fondeur coréen d'afficher une productivité 60% supérieure (la comparaison s'effectuant avec une puce de 32 Gb de TLC gravée à 3x nm).

Les nouvelles puces sont destinées aux cartes mémoire, clefs USB et aux smartphones. Elles pourront également être utilisées dans des disques flash. Elles seront en effet plus performantes que les précédentes, du fait de l'usage d'une interface Toggle DDR (Double Data Rate) en lieu et place de la classique SDR (Single Data Rate). Il reste maintenant à patienter pour voir qu'elle sera l'impact de cette nouvelle génération de mémoire flash sur le marché. Nous sommes également curieux quant à son adoption potentielle dans les SSD...

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