La joint-venture IMFT (Intel & Micron) vient d'annoncer sa première puce de mémoire flash gravée à une finesse de 20 nanomètres...

Intel et Micron commercialisent depuis peu leurs premiers SSD équipés de mémoire flash gravée à 25 nanomètres. Cette NAND avait pourtant été annoncée dès le 1er février 2010, avec un démarrage effectif de la production dans le courant du mois de mai de la même année. La joint-venture IMFT (Intel-Micron Flash Technologies) qui produit les puces de MLC utilisées par les deux compagnies (et de nombreuses autres) nous présente aujourd'hui sa mémoire flash à 20 nm.

C'est la cinquième génération de NAND pour IMFT (qui avait commencé ses opérations à 72 nm, avant de passer à 50 nm, 34 nm et 25 nm). Comme d'habitude, la première puce est de type MLC 2BPC (2 bits par cellule), et elle offre une capacité de 8 Go (ou 64 Gb). Sa surface est de 118 mm², contre 167 mm²  pour un chip équivalent gravé à 25 nm.

Le développement de cette nouvelle génération de mémoire flash n'est pas encore tout à fait fini, quand ce sera le cas, sa fiabilité devrait être similaire à ce que l'on obtient à 25 nm, soit entre 3000 et 5000 cycles. Les similitudes entre les puces de 25 et 20 nanomètres devraient permettre une transition plus rapide que le passage de 34 à 25 nm. En contrepartie, la chute du coût est moindre, et devrait se situer entre 20 et 30% pour des puces de capacité identique.

Cette transition de 25 à 20 nm a beau être « faible », elle nécessitera tout de même de changer un certain nombre de machines. La fonderie de Lehi (dans l'état américain de l'Utah) sera la première à passer à 20 nm, suivie de celle de Manassas (en Virginie), puis plus tard de celle de Singapour. On attend maintenant de voir quand la concurrence (Samsung, Toshiba, Hynix, etc.) offrira à son tour sa nouvelle génération de mémoire flash.

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