Le géant coréen Samsung vient d'annoncer une nouvelle génération de NAND offrant une bande passante record de 400 Mb/s...

Samsung vient d'annoncer la première puce de mémoire flash exploitant une interface de type Toggle DDR 2.0. Gravée à 2x nanomètres, cette MLC affiche une capacité de 64 Gb (8 Go). Sa bande passante maximale est de 400 Mb/s, soit dix fois plus que les puces utilisant une interface SDR, et trois fois plus que celles en Toggle DDR 1.0.

Cette nouvelle génération de mémoire flash sera donc parfaite pour les derniers SSD en Serial ATA à 6 Gb/s ou en SuperSpeed USB. Elle sera également utile aux futurs smartphones haut de gamme qui seront plus à même de lancer plusieurs applications simultanément sur leurs processeurs multicoeurs.

Selon iSuppli, le marché de la NAND passera de 11 milliards de gigaoctets en 2010 à près de 94 milliards de gigaoctets en 2015. Les puces de 64 Gb représenteront alors environ 70% du marché, alors qu'elle n'occupait qu'un peu plus de 3% l'an dernier. Samsung est toujours le numéro un du secteur, et en continuant de dévoiler des solutions innovantes en la matière, on voit mal qui pourrait déloger le géant coréen !

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