Le géant coréen Samsung commence à produire une barrette de DDR3 de 32 Go exploitant des puces gravées à 3x nanomètres...

Samsung vient d'indiquer avoir commencé à produire en masse ses dernières barrettes de mémoire vive de 32 Go. On a ici affaire à des RDIMM conçues autour de puces de 4 Gb (512 Mo), gravés à 3x nanomètres. Cette DDR3 atteint une fréquence de 1866 MHz, et se contente d'une tension nominale de 1,35 volt ! La génération précédente (gravée à 4x nm) était cadencée à 1333 MHz, et nécessitait 1,50 volt. Samsung propose également une barrette SO-DIMM de 8 Go de DDR3, qui atteint pas moins de 2133 MHz à 1,50 volt !

Le fondeur compte aussi produire une puce de 4 Gb à 2x nm dans le courant du second semestre 2011. Samsung indique que les puces de 4 Gb représenteront plus de 10% de sa production en 2012. Le cabinet d'analyste IHS précise quant à lui que les puces de 4 Gb pourraient représenter 10% du marché global en 2012, 35% en 2013, et près de 57% en 2014 ! Pour le moment, seuls les serveurs profitent de telles quantités de mémoire vive, ce qui ne veut pas dire qu'on regrettera l'époque ou le moindre megaoctet de SD-RAM coûtait un bras !

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