La DDR3 à 3x nanomètres pour tous chez Samsung

Publié le 10 juin 2011 , par Florian Vieru - dans Hardware, Mémoire - Mots clés : Samsung, DDR3

Le fondeur Samsung lance des modules de DDR3 basiques exploitant des puces de DRAM gravées à une finesse 3x nanomètres...

SamsungLa semaine dernière, Samsung lançait de nouveaux modules de mémoire vive pour serveurs utilisant des puces gravées à 3x nanomètres. Le géant coréen dévoile aujourd'hui des barrettes de DDR3 pour ordinateurs de bureaux et laptops adoptant également cette nouvelle génération de DRAM.

Samsung propose ainsi des modules UDIMM à profil bas (VLP) ainsi que des SO-DIMM, avec des capacités de 2 et 4 Go. Cette DDR est cadencée à 1600 MHz, et elle est donc 20% plus rapide que les solutions actuelles du fondeur, qui utilisent des puces gravées à 4x nm.

Samsung avance des tarifs débutant à moins de 30 dollars (environ 25 euros, taxes incluses) pour une barrette, et à moins de 55 dollars (45 euros) pour un kit dual-channel. On trouve rarement moins cher que le numéro un mondial du secteur en matière de mémoire vive (exception faite des modules no-name, toujours à déconseiller).

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Dernières réactions

johnlairmite - le 10/06/11 à 19:37
c'est quoi ça : "3x" nanomètres ?

ça veux dire entre 30 et 39 nm ?
Greenood - le 13/06/11 à 13:12
johnlairmite
c'est quoi ça : "3x" nanomètres ?

ça veux dire entre 30 et 39 nm ?


oui
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