Le géant coréen Samsung vient de lancer la production en masse de sa nouvelle génération de DDR3 gravée à 2x nanomètres...

Samsung, le premier fondeur de mémoire vive au monde, vient d'annoncer avoir commencé la production de sa nouvelle génération de DDR3. Il s'agit plus précisément d'une puce de 2 Gb (256 Mo)  gravée à une finesse située entre 20 et 29 nanomètres. Cela fait désormais plusieurs années que le géant coréen ne communique plus de valeur précise, se contentant de parler de « classe ». Samsung met cependant en avant sa consommation énergétique en baisse de 40%. Les dimensions réduites de cette nouvelle puce permettent également d'obtenir une production supérieure de 50% à celle de la génération précédente. Le fondeur compte proposer une densité de 4 Gb (512 Mo) avant la fin de l'année.

Les premiers modules exploitant ces puces sont attendus au début de l'année prochaine, avec des capacités de 4 Go, 8 Go, 16 Go et 32 Go. On notera également que cette DDR3 à 2x nanomètres est produite dans la dernière usine de la compagnie coréenne. Cette « Line-16 » compte douze étages, avec une surface de travail totale d'environ 198 000 m². Elle doit produire à terme près de 10 000 galettes de silicium de 300 mm par mois.

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