Le fondeur japonais Elpida vient de dévoiler la première puce de 4 Gb de DDR3 gravée à 25 nanomètres.

Dans la foulée du communiqué de Samsung, son concurrent Elpida a riposté avec sa propre annonce concernant une nouvelle génération de mémoire vive. Cette DDR3 affiche une finesse de gravure de 25 nanomètres. Elle fonctionne à 1866 MT/s avec 1,5 ou 1,35 volt de tension. C'est cependant sa capacité qui la distingue, puisqu'elle atteint une densité de 4 Gb (512 Mo). Elpida précise que cette nouvelle puce lui permet d'obtenir une productivité supérieure de 45% par rapport à une puce de 4 Gb gravée à 30 nm.

Le fondeur japonais indique que sa solution est parfaite pour les ordinateurs portables, et particulièrement les tablettes et les ultrabooks. Il compte commencer à produire ce type de DDR3 en quantité avant la fin de l'année. On peut donc s'attendre à ce que les premiers modules conçus autour de cette puce de 4 Gb arrivent au début de l'année prochaine. Juste à temps pour accompagner le lancement d'Ivy Bridge ?

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