Un sandwich de RAM avec une sauce cubique un peu spéciale. Ça promet d'aller vite, mais ce n'est pas pour tout de suite.

Les dernières expérimentations semblent être terminées chez IBM concernant la HMC, ou mémoire vive hybride cubique. Bon, ce n'est en fait pas vraiment cubique, mais le principe est simple. Une couche contient des circuits pour la mémoire, empilés ensuite sur plusieurs couches. Mais l'interconnexion entre ces couches, pour le stockage des données et l'accès à celles-ci, peut vite devenir un facteur limitant, car généralement située en périphérie de celles-ci. Intel, en association avec Micron, a développé des tubes entre les couches, sorte d'ascenseurs à électrons, mais cette fois-ci en plein milieu et éparpillés, raccourcissant les échanges, la rapidité d'accès, les performances de transfert et également la consommation électrique.

Sur ce tableau, Intel montre que cette nouvelle mémoire pourrait atteindre, sur une puce de 512 Mo, une bande passante de 128 Go/s avec un VDD (voltage de la mémoire) inférieur à la DDR3. La consommation est également inférieure si on prend la colonne du rapport consommation et bande passante, mais globalement, ces cellules de mémoire chaufferont plus que les puces de DDR3. Micron annonce également que ces barrettes de mémoire vive hybrides en 32 nm seront produites dans une usine de l'Etat de New-York, mais il est peu probable de voir débarquer ce type de mémoire dans nos machines dans l'immédiat sachant que le monde de l'industrie doit se faire la main sur le procédé de fabrication avant.

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