Le terme flash vient de l'architecture mémoire qui force a effacer tout un bloc d'un coup avant de pouvoir le reprogrammer (flash erase). Du coup on ne peut plus vraiment parler de flash pour les mémoires a changement de phase. Les mémoires non volatiles actuelles utilisent un transistor a double grille qui permet, en la chargant ou non, de déterminer la valeur du bit. Il est théoriquement possible d'effacer chaque bit individuellement (effet tunnel), mais l'opération nécessite un transistor supplémentaire par bit et diminue sensiblement la durée de vie de la mémoire. On utilise donc une méthode de déprogrammation différente (électrons chauds ou effet fowler nordheim) pour déprogrammer toute une rangée de bit en série. Dans les PRAM, l'information se trouve dans une résistance, variable en fonction de sa phase, et donc plus dans un transistor. Le changement de phase est réalisé en chauffant la résistance a différentes températures, donc il est possible d'utiliser le même transistor pour la programmation et la déprogrammation en faisant varier son courrant. Il y donc a fort a parier que les architectures actuelles des mémoires flash (haute tension, ecriture et effacement différents) n'auront pas raison d'etre avec la PRAM et que la structure plus simple permettra le gain de place et de perfomances annoncé.

Les efforts de Samsung seront de toute façon réduit à néant par les employés de Bilou qui s'arrangeront pour que leur système d'exploitation nécessite, pour bien fonctionner, plus de RAM que ce qui est installé dans la machine! On l'a vu avec Windows 95, Windows 98, Windows XP... Il n'y a pas de raison que ça s'arrête!